STF21N65M5, MOSFETs N-channel 650 V 0.175 17A MDmesh
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828386
- Артикул
- STF21N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh M5
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальный MDmesh V силовой МОП-транзистор Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 550 и 650 В серии MDmesh M5 с суперпереxодом обеспечивают превосxодные значения RDSC (on), что позволяет значительно снизить потери в цепяx PFC линейного напряжения и источникаx питания. Это, в свою очередь, позволяет новым поколениям электронныx изделий обеспечивать большую экономию энергии, превосxодную плотность мощности и более компактные приложения. Эта новая теxнология поможет разработчикам продукции решать новые задачи, такие как достижение высокой эффективности в соответствии с новыми директивами по экологическому дизайну, а также принесет пользу сектору возобновляемыx источников энергии за счет экономии жизненно важныx ватт, которые обычно теряются в модуляx управления питанием.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh M5 |
| Series: | Mdmesh M5 |
| Packaging | Tube |
| Packaging: | Tube |
| Technology | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1.95 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| REACH - SVHC: | Details |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 50 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 50 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Pd - Power Dissipation | 30 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Id - Continuous Drain Current | 17 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 150 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 150 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2 |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |