STF20NF20, MOSFETs Low charge STripFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828385
- Артикул
- STF20NF20
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STF20NF20
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 238,08 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, STripFET™, полевой, 200В, 11А, 30Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STF20NF20 |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 30 ns |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 1.95 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 28 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 40 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 18 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 13 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 125 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 200 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |