Моя заявка (0)
STF19NF20, MOSFETs N Ch 200V 15A Pwr MOSFET

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828381
Артикул
STF19NF20
Бренд
STMicroelectronics
Case
TO220FP
Mounting
THT
Technology
MESH OVERLAY™
Вес, г
0.33
Цена по запросу
(от 144,83 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор N-МОП, полевой, 200В, 9,45А, 25Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseTO220FP
MountingTHT
TechnologyMESH OVERLAY™
Вес, г0.33
Длина10.4 mm
СерияSTF19NF20
ManufacturerSTMicroelectronics
Polarisationunipolar
Высота9.3 mm
Ширина4.6 mm
Drain current9.45A
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
УпаковкаTube
Power dissipation25W
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±20V
On-state resistance0.16Ω
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Drain-source voltage200V
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада11 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Время нарастания22 ns
Features of semiconductor devicesESD protected gate
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности25 W
Id - непрерывный ток утечки15 A
Коммерческое обозначениеMESH OVERLAY
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток20 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток160 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток200 V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения19 ns
Типичное время задержки при включении11.5 ns
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В200
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А15
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация