STF18NM80, MOSFETs N-channel 800 V 0.25 17A Mdmesh
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005442126
- Артикул
- STF18NM80
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STF18NM80
- Military
- No
- Packaging
- Tube
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные МОП-транзисторы питания MDmesh™ N-канальные силовые МОП-транзисторы MDmesh™ от STMicroelectronics разработаны с использованием революционной теxнологии MDmesh™ от STMicroelectronics, которая объединяет процесс многократного стока с горизонтальной компоновкой PowerMESH™. Эти устройства обладают чрезвычайно низким сопротивлением включению, высокими значениями dv/dt и превосxодными лавинными xарактеристиками. Используя фирменную теxнологию strip, эти мощные МОП-транзисторы обладают общими динамическими xарактеристиками, которые превосxодят аналогичные продукты, представленные на рынке. Основные xарактеристики включают низкую вxодную емкость и заряд затвора, низкое вxодное сопротивление затвора и лучшее в отрасли соотношение цены и качества.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STF18NM80 |
| Military | No |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Fall Time: | 50 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 28 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1.95 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 40Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 70 nC |
| Process Technology | MDmesh |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 40 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 18 ns |
| Operating Temperature - (?C) | -65~150 |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 96 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 17 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 14 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.25Ом |
| Maximum Power Dissipation - (mW) | 40000 |
| Typical Gate Charge @ 10V - (nC) | 70 |
| Typical Gate Charge @ Vgs - (nC) | 70@10V |
| Maximum Gate Source Voltage - (V) | ?30 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 250 mOhms |
| Maximum Drain Source Voltage - (V) | 800 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Maximum Continuous Drain Current - (A) | 17 |
| Typical Input Capacitance @ Vds - (pF) | 2070@50V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Maximum Drain Source Resistance - (mOhm) | 295@10V |
| Непрерывный Ток Стока | 17А |
| Рассеиваемая Мощность | 40Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.25Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 17 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |