Транзистор полевой STF18NM60N
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8075249897
- Артикул
- STF18NM60N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STF18NM60N
- Fall Time:
- 40 ns
- Packaging:
- Tube
Цена по запросу
(от 640 ₽)
Минимальный заказ: 3 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 600В, 8,2А, 30Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STF18NM60N |
| Fall Time: | 40 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 22 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1.7 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 35 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 20 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 50 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 13 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 260 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |