Моя заявка (0)

STF18N60M6, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 8,2А, Idm: 38А

STF18N60M6, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 8,2А, Idm: 38А

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003836407
Артикул
STF18N60M6
Бренд
STMicroelectronics
Вес, г
1.69
Серия
STx18
Упаковка
Tube
Структура
MOSFET
Цена по запросу
(от 256,80 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 600В, 8,2А, Idm: 38А Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Вес, г1.69
СерияSTx18
УпаковкаTube
СтруктураMOSFET
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада9 ns
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220-3
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора16.8 nC
Время нарастания7 ns
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество каналов1 Channel
Полярность транзистораN-Channel
Pd - рассеивание мощности25 W
Id - непрерывный ток утечки13 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Размер фабричной упаковки1000
Vgs - напряжение затвор-исток25 V, + 25 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток280 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток600 V
Пороговое напряжение на затворе1.35…2.35
Минимальная рабочая температура55 C
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения28 ns
Типичное время задержки при включении16 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток3.25 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8.2
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.00125 Ом/38А, 10В

Техническая документация