STF16N90K5, MOSFETs N-channel 900 V, 280 mOhm typ., 15 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828376
- Артикул
- STF16N90K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 9.8 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 36 ns
Цена по запросу
(от 650 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ M6, полевой, 900В, 9А, Idm: 60А, 30Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 9.8 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 36 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 1.95 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 29.7 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 28.8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 15 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 330 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 900 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 900 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 15 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 280 мОм |