STF15NM65N, 650V 12A 30W 380m-@10V,6A 4V@250uA N Channel TO-220FP MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048524910
- Артикул
- STF15NM65N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmeshв(ў II
- Series:
- STF15NM65N
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 420 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmeshв(ў II |
| Series: | STF15NM65N |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Vgs (Max) | В±25V |
| Fall Time: | 26 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 8 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 3.18 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Standard Package | 50 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33.3 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W |
| Power Dissipation (Max) | 30W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 25 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 33.3nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 80 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650V |
| Id - Continuous Drain Current: | 15.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 270 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 983pF @ 50V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 12A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 12 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |