STF15N65M5, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 11 A, 0.308 ohm, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8809471078
- Артикул
- STF15N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- null
- Width
- 4.6mm
- Series
- MDmesh M5
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 439 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ V, полевой, 650В, 6,9А, 25Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type | null |
| Width | 4.6mm |
| Series | MDmesh M5 |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1.68 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Power Dissipation (Pd) | 30W |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 22 nC @ 10 V |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 22nC@10V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 816pF@100V |
| Maximum Drain Source Voltage | 710 V |
| Continuous Drain Current (Id) | 11A |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 340 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 340mΩ@5.5A, 10V |