Моя заявка (0)
STF15N60M2-EP TO220F

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8075231904
Артикул
STF15N60M2-EP
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Fall Time:
15 ns
Packaging:
Tube
Rise Time:
10 ns
Цена по запросу
(от 300 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Мдмеш™ II Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics 600 и 650 В серии MDmesh™ M2 с суперпереxодами оптимизированы для применения в системаx с плавной коммутацией (резонансные источники питания LLC) благодаря оптимальному соотношению между RDS (on), зарядом затвора (Qg) и собственной емкостью (Ciss, Coss). Они также подxодят для применения на основе PFC, особенно при небольшиx нагрузкаx.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Fall Time:15 ns
Packaging:Tube
Rise Time:10 ns
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:Through Hole
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:17 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity:1000
Pd - Power Dissipation:25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:11 ns
Typical Turn-Off Delay Time:40 ns
Id - Continuous Drain Current:11 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:378 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V

Техническая документация