STF14NM50N, , Транзистор полевой N-канальный, 500В, 14А, корпус TO-220- 3FP
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014323093
- Артикул
- STF14NM50N
- Бренд
- STMicroelectronics
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- Width
- 4.6mm
- Series
- MDmesh
Цена по запросу
(от 118 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-Ch 500V 0.246 Ohm 12A Mdmesh 2 PWR MO
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| Width | 4.6mm |
| Series | MDmesh |
| Тип | MOSFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Military | No |
| Mounting | Through Hole |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tube |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Through Hole |
| Вес, г | 3.5 |
| Серия | STF14NM50N |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Корпус | TO-220F |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package Width | 4.6(Max) |
| Package Height | 16.4(Max) |
| Package Length | 10.4(Max) |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | TO-220FP |
| Упаковка | Tube |
| Maximum IDSS (uA) | 1 |
| Process Technology | MDmesh II |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Standard Package Name | TO-220 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 22 ns |
| Typical Fall Time (ns) | 22 |
| Typical Rise Time (ns) | 16 |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 27 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -25 V, +25 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Способ монтажа | Through Hole |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 500 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel Power MOSFET |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 25000 |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Qg - заряд затвора | 27 nC |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 27 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 27@10V |
| Maximum Drain Source Resistance | 320 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 12 |
| Время нарастания | 16 ns |
| Тип проводимости | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 12 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 500 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 42 |
| Maximum Gate Threshold Voltage (V) | 4 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 12 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 816@50V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 320@10V |
| Maximum Gate Source Leakage Current (nA) | 100 |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 12 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 320 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 42 ns |
| Транспортная упаковка: размер/кол-во | 58*46*54/500 |
| Типичное время задержки при включении | 12 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |