STF13NM60ND, Транзистор: N-MOSFET
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8016439641
- Артикул
- STF13NM60ND
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 1.7
- Серия
- STF13NM60ND
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 561 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 1.7 |
| Серия | STF13NM60ND |
| Channel Type | N Channel |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 25Вт |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 15.4 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 25W |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 24.5nC@10V |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 845pF@50V |
| Continuous Drain Current (Id) | 11A |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 24.5 nC |
| Время нарастания | 10 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.32Ом |
| Линейка Продукции | FDmesh II |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 11А |
| Рассеиваемая Мощность | 25Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 11 A |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 600В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 380 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 9.6 ns |
| Типичное время задержки при включении | 46.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 4 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 600 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.32Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 380mΩ@5.5A, 10V |