Моя заявка (0)

STF13N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

STF13N65M2, MOSFETs N-channel 650 V, 370 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8066272201
Артикул
STF13N65M2
Бренд
STMicroelectronics
Type
1PCSNChannel
Вес, г
1
Серия
STF13N65M2
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 204,35 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220FP package

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Вес, г1
СерияSTF13N65M2
Channel TypeN Channel
Power Dissipation25Вт
ТехнологияSi
Вид монтажаThrough Hole
Время спада12 ns
Power Dissipation (Pd)25W
Тип продуктаMOSFET
КонфигурацияSingle
ПодкатегорияMOSFETs
Total Gate Charge (Qg@Vgs)17nC@10V
Торговая маркаSTMicroelectronics
Упаковка / блокTO-220FP-3
Input Capacitance (Ciss@Vds)590pF@100V
Continuous Drain Current (Id)10A
Канальный режимEnhancement
Тип транзистора1 N-Channel
Qg - заряд затвора17 nC
Время нарастания7.8 ns
Drain Source On State Resistance0.37Ом
Линейка ПродукцииMDmesh M2
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Количество каналов1 Channel
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока10А
Рассеиваемая Мощность25Вт
Полярность транзистораN-Channel
Пороговое Напряжение Vgs3В
Pd - рассеивание мощности25 W
Id - непрерывный ток утечки10 A
Коммерческое обозначениеMDmesh
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds650В
Размер фабричной упаковки1000
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220FP
Vgs - напряжение затвор-исток25 V
Rds Вкл - сопротивление сток-исток370 mOhms
Vds - напряжение пробоя сток-исток650 V
Максимальная рабочая температура+ 150 C
Типичное время задержки выключения38 ns
Типичное время задержки при включении11 ns
Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток2 V
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.37Ом

Техническая документация