STF13N65M2, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10 A, 0.37 ohm, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001855474
- Артикул
- STF13N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type
- 1PCSNChannel
- Вес, г
- 0.42
- Серия
- STF13N65M2
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 314 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N-channel 650 V, 0.37 Ohm typ., 10 A MDmesh M2 Power МОП-транзистор in TO-220FP package
Технические параметры
| Type | 1PCSNChannel |
| Вес, г | 0.42 |
| Серия | STF13N65M2 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-220 |
| Power Dissipation | 25Вт |
| Структура | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 12 ns |
| Power Dissipation (Pd) | 25W |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 17nC@10V |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220FP-3 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 590pF@100V |
| Continuous Drain Current (Id) | 10A |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 17 nC |
| Время нарастания | 7.8 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.37Ом |
| Линейка Продукции | MDmesh M2 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Рассеиваемая Мощность | 25Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 370 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Типичное время задержки выключения | 38 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.37Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 430mΩ@5A, 10V |