Моя заявка (0)

STF13N60DM2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 7А, Idm: 44А, 25Вт

STF13N60DM2, Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 7А, Idm: 44А, 25Вт

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8003831571
Артикул
STF13N60DM2
Бренд
STMicroelectronics
Case
TO220FP
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STF13N60DM2
Mounting
THT
Цена по запросу
(от 410 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET, MDmesh™ DM2, полевой, 600В, 7А, Idm: 44А, 25Вт Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

CaseTO220FP
Brand:STMicroelectronics
Series:STF13N60DM2
MountingTHT
Fall Time:10.6 ns
Packaging:Tube
Rise Time:4.8 ns
TechnologyMDmesh™ DM2
Tradename:MDmesh
Вес, г2.5
Gate charge19nC
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Drain current7A
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:TO-220-3
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Mounting Style:Through Hole
Transistor Type:1 N-Channel
Power dissipation25W
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:19 nC
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураMOSFET
Gate-source voltage±25V
Number of Channels:1 Channel
On-state resistance0.365Ω
Drain-source voltage600V
Pulsed drain current44A
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:25 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Typical Turn-On Delay Time:12.3 ns
Typical Turn-Off Delay Time:42.5 ns
Id - Continuous Drain Current:11 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:310 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.05Ω@1.8A, 10V

Техническая документация

STF13N60DM2 STMicroelectronics: купить, цена от 410 ₽ | ЭПЛ