STF12N50M2, MOSFETs N-channel 500 V, 325 mOhm typ., 10 A MDmesh M2 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828360
- Артикул
- STF12N50M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh M2
- Fall Time
- 34.5 ns
Цена по запросу
(от 290 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh M2 |
| Fall Time | 34.5 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 10.5 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 2.3 |
| Серия | STF12N50M2 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-220 |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220FP-3 |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 15 nC |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 85Вт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 1000 |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 34.5 ns |
| Pd - Power Dissipation | 85 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 13.5 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 8 ns |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 10 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Qg - заряд затвора | 15 nC |
| Время нарастания | 10.5 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.325Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 325 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 10А |
| Рассеиваемая Мощность | 85Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Pd - рассеивание мощности | 85 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 500В |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220FP |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 325 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 8 ns |
| Типичное время задержки при включении | 13.5 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 2 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.325Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 10 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 85 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 325 мОм |