Моя заявка (0)

STF12N120K5, Транзистор N-МОП, полевой, 1200В, 7,6А, 40Вт, TO220FP

STF12N120K5, Транзистор N-МОП, полевой, 1200В, 7,6А, 40Вт, TO220FP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048653046
Артикул
STF12N120K5
Бренд
STMicroelectronics
Type:
MDmesh K5
Brand:
STMicroelectronics
Series
MDmeshв(ў K5
FET Type
N-Channel
Цена по запросу
(от 2 290 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты STMicroelectronics Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для промышленности и готовыx к использованию заменителей наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Type:MDmesh K5
Brand:STMicroelectronics
SeriesMDmeshв(ў K5
FET TypeN-Channel
Product:Power MOSFETs
PackagingTube
Vgs (Max)В±30V
Fall Time:18.5 ns
Packaging:Tube
Rise Time:11 ns
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г2.2
Part StatusActive
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeThrough Hole
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Standard Package50
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:44.2 nC
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 100ВµA
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Operating Temperature-55В°C ~ 150В°C(TJ)
Factory Pack Quantity:1000
Rds On (Max) @ Id, Vgs690 mOhm @ 6A, 10V
Pd - Power Dissipation:40 W
Power Dissipation (Max)40W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220FP
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:23 ns
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs44.2nC @ 10V
Typical Turn-Off Delay Time:68.5 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)1200V
Id - Continuous Drain Current:12 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:690 mOhms
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1370pF @ 100V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:5 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C12A(Tc)

Техническая документация