STF11NM80, Power MOSFET, N Channel, 800 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8844708736
- Артикул
- STF11NM80
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Подробности
- Type:
- MOSFET
- Width
- 4.6mm
- Brand:
- STMicroelectronics
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой STF11NM80 от STMicroelectronics – надежный компонент для мощных электронных схем. Предназначенный для монтажа THT, данный N-MOSFET транзистор обладает током стока 11 А и напряжением сток-исток 800 В, что делает его подходящим для высоковольтных применений. Мощность устройства составляет 35 Вт, а низкое сопротивление в открытом состоянии, всего 0,4 Ом, обеспечивает эффективную работу и минимизацию потерь энергии. Продукт заключен в прочный корпус TO220FP, который гарантирует долговечность и стабильность в эксплуатации. Ищите STF11NM80 для создания надежных и мощных электронных устройств. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж THT Ток стока, А 11 Напряжение сток-исток, В 800 Мощность, Вт 35 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.4 Корпус TO220FP
Технические параметры
| RoHS | Подробности |
| Type: | MOSFET |
| Width | 4.6mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh |
| Series: | STF11NM80 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 15 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rds Вкл | 400 mOhms |
| Rise Time: | 17 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 3.5 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220FP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Упаковка | Tube |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 43.6 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 15 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 35 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Конфигурация | Single |
| Maximum Power Dissipation | 35 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 43.6 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Производитель | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 22 ns |
| Упаковка / блок | TO-220-3 FP |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 46 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 11 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 8 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 400 mΩ |
| Время нарастания | 17 ns |
| Maximum Continuous Drain Current | 11 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 400 mOhms |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Рассеяние мощности | 35 W |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный ток стока | 11 A |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Напряжение пробоя сток-исток | 800 V |
| Напряжение пробоя затвор-исток | +/-30 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | -65 C |
| Максимальная рабочая температура | +150 C |
| Типичное время задержки выключения | 46 ns |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 11 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 8 S |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.35 Ом |