STF11NM50N, Power MOSFET, N Channel, 500 V, 8.5 A, 0.4 ohm, TO-220FP, Through Hole
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8477035572
- Артикул
- STF11NM50N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 10 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 10 ns
Цена по запросу
(от 480 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
транз: N-MOSFET 500V 8,5A <0,4Om
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 10 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 10 ns |
| Вес, г | 190 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| RoHS Compliant | Yes |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 19 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 25 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -25 V, +25 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 8 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 33 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 8.5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 470 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 500 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 500 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 8.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.4 Ом |