STF11N60DM2, TO-220FP MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029166981
- Артикул
- STF11N60DM2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Mounting
- THT
- Вес, г
- 3.4
- Серия
- STF11N60DM2
- Manufacturer
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 278,85 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор PTD HIGH VOLTAGE
Технические параметры
| Mounting | THT |
| Вес, г | 3.4 |
| Серия | STF11N60DM2 |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Polarisation | unipolar |
| Корпус | TO-220 |
| Kind of channel | enhanced |
| Kind of package | tube |
| Упаковка | Tube |
| Type of transistor | N-MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 9.5 ns |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 16.5 nC |
| Время нарастания | 6.3 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 25 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 10 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 1000 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 370 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 600 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 31 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11.7 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | 3 V |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 370 mOhms |