Моя заявка (0)
STF10N95K5, MOSFETs N-Ch 950V 0.65Ohm typ 8A Zener-protect

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828351
Артикул
STF10N95K5
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STF10N95K5
Mounting
THT
Fall Time:
15 ns
Цена по запросу
(от 351,14 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 Серия STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RD(on) и отличающимися повышенной плотностью мощности и КПД. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STF10N95K5
MountingTHT
Fall Time:15 ns
Packaging:Tube
Rise Time:14 ns
Tradename:SuperMESH
Вес, г1.95
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Polarisationunipolar
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Kind of channelenhanced
Kind of packagetube
Mounting Style:Through Hole
Package / Case:TO-220-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:22 nC
Type of transistorN-MOSFET
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:30 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:22 ns
Typical Turn-Off Delay Time:51 ns
Id - Continuous Drain Current:8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:800 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:950 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:1000
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В950 V
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)800 mOhms

Техническая документация