STF10N80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 0.470 Ohm typ., 9 A MDmesh K5 Power MOSFET in a TO-220FP packag
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828350
- Артикул
- STF10N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmeshв(ў
- Series:
- STF10N80K5
- FET Type
- N-Channel
Цена по запросу
(от 530 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП, полевой, 800В, 6А, 30Вт, TO220FP Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmeshв(ў |
| Series: | STF10N80K5 |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Tube |
| Vgs (Max) | В±30V |
| Fall Time: | 14 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 11 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 0.33 |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Through Hole |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-3 |
| Standard Package | 50 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 5V @ 100ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 150В°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 4.5A, 10V |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Power Dissipation (Max) | 30W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 14.5 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 22nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 35 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 800V |
| Id - Continuous Drain Current: | 9 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 470 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 635pF @ 100V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 9A(Tc) |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 9 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.47 Ом |