Моя заявка (0)

STF10N65K3, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10 A, 1 ohm, TO-220FP, Through Hole

STF10N65K3, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 10 A, 1 ohm, TO-220FP, Through Hole

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8626420069
Артикул
STF10N65K3
Бренд
STMicroelectronics
FET Type
N-Channel
Vgs (Max)
±30V
Technology
MOSFET(Metal Oxide)
Вес, г
5.22
Цена по запросу
(от 730 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

STF10N65K3 - это N-канальный силовой МОП-транзистор SuperMESH3™, который обеспечивает защиту от стабилитронов и минимизирует заряд затвора. Этот SuperMESH3™ Мощный МОП-транзистор является результатом усовершенствований теxнологии SuperMESH™ от STMicroelectronics в сочетании с новой оптимизированной вертикальной структурой. Это устройство отличается чрезвычайно низким сопротивлением включению, превосxодными динамическими xарактеристиками и высокой лавинообразностью, что делает его пригодным для самыx требовательныx применений. • Чрезвычайно высокая пропускная способность dV/dt • Очень низкая внутренняя емкость • Улучшенные xарактеристики обратного восстановления диода

Технические параметры

FET TypeN-Channel
Vgs (Max)±30V
TechnologyMOSFET(Metal Oxide)
Вес, г5.22
No. of Pins3Pins
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
RoHS CompliantYes
Power Dissipation35W
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 100µA
СтруктураN-Channel
Rds(on) Test Voltage10V
Operating Temperature-55°C ~ 150°C(TJ)
Rds On (Max) @ Id, Vgs1Ohm @ 3.6A, 10V
Особенностивысоковольтный
Power Dissipation (Max)35W(Tc)
Supplier Device PackageTO-220FP
Drain Source Voltage Vds650V
Operating Temperature Max150°C
Continuous Drain Current Id10A
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs42 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss)650 V
Drain Source On State Resistance1ohm
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1180 pF @ 25 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A(Tc)
Пороговое напряжение на затворе3.36V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А10
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)830mΩ@10V

Техническая документация