STF10N65K3, TO-220 MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8029135722
- Артикул
- STF10N65K3
- Бренд
- STMicroelectronics
- FET Type
- N-Channel
- Vgs (Max)
- ±30V
- Technology
- MOSFET(Metal Oxide)
- Вес, г
- 2.15
Цена по запросу
(от 241,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 650 В, 10 А, ДО 220FP; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 10 А; Напряжение источника стока Vds: 650 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 1 Ом; Тестовое напряжение Rds (вкл.) Vgs: 10 В; Пороговое напряжение Vgs:3 В; Мощность
Технические параметры
| FET Type | N-Channel |
| Vgs (Max) | ±30V |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 2.15 |
| No. of Pins | 3Pins |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| RoHS Compliant | Yes |
| Power Dissipation | 35W |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 100µA |
| Структура | MOSFET |
| Rds(on) Test Voltage | 10V |
| Operating Temperature | -55°C ~ 150°C(TJ) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1Ohm @ 3.6A, 10V |
| Особенности | - |
| Power Dissipation (Max) | 35W(Tc) |
| Supplier Device Package | TO-220FP |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Operating Temperature Max | 150°C |
| Continuous Drain Current Id | 10A |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 42 nC @ 10 V |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 650 V |
| Drain Source On State Resistance | 1ohm |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 3V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1180 pF @ 25 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 10A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | 3.36V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 830mΩ@10V |