Моя заявка (0)

STE70NM60, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 70А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами

STE70NM60, Модуль; одиночный транзистор; 600В; 70А; ISOTOP; Ugs: ±30В; винтами

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8060336420
Артикул
STE70NM60
Бренд
STMicroelectronics
Type:
MOSFET
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STE70NM60
Fall Time:
76 ns
Цена по запросу
(от 9 570 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:STMicroelectronics
Series:STE70NM60
Fall Time:76 ns
Packaging:Tube
Rise Time:95 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г48
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:ISOTOP-4
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:266 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:600 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:55 ns
Id - Continuous Drain Current:70 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Forward Transconductance - Min:35 S
Rds On - Drain-Source Resistance:55 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:100

Техническая документация