Моя заявка (0)
STE48NM50, MOSFETs N-Ch 500 Volt 48 Amp

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005442111
Артикул
STE48NM50
Бренд
STMicroelectronics
Type:
MOSFET
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STE48NM50
Fall Time:
23 ns
Цена по запросу
(от 4 700 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Type:MOSFET
Brand:STMicroelectronics
Series:STE48NM50
Fall Time:23 ns
Packaging:Tube
Rise Time:35 ns
Tradename:MDmesh
Вес, г28
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:ISOTOP-4
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:117 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенности-
Pd - Power Dissipation:450 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Typical Turn-On Delay Time:40 ns
Typical Turn-Off Delay Time:18 ns
Id - Continuous Drain Current:48 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-65 C
Forward Transconductance - Min:20 S
Rds On - Drain-Source Resistance:100 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:500 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:100
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В500
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А48
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация