STE40NC60, Trans MOSFET N-CH 600V 40A 4-Pin ISOTOP Tube
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8001090810
- Артикул
- STE40NC60
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Width
- 25.5mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh, SuperMESH
Цена по запросу
(от 4 250 ₽)
Минимальный заказ: 100 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 25.5mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Series: | STE40NC60 |
| Pin Count | 4 |
| Fall Time: | 26 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 42 ns |
| Tradename: | PowerMESH |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | ISOTOP |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Screw Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | ISOTOP-4 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 430 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 460 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 460 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 307.5 nC @ 10 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 49 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 600 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -65 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 40 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 42 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 130 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 130 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 600 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 100 |