Моя заявка (0)

STE145N65M5, Модуль транзисторный, 679Вт, Uds 650В, 143А, 15мОм, Корп ISOTOP

STE145N65M5, Модуль транзисторный, 679Вт, Uds 650В, 143А, 15мОм, Корп ISOTOP

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8031038988
Артикул
STE145N65M5
Бренд
STMicroelectronics
Type
1PCSNChannel
Type:
MOSFET
Brand:
STMicroelectronics
Product:
MOSFET Modules
Цена по запросу
(от 5 200 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

650 В 143 А 679 Вт 15 Мом при 69 А, 10 В 5 В при 250uA 1 шт. канальные ИЗОТОПНЫЕ МОП-транзисторы ROHS

Технические параметры

Type1PCSNChannel
Type:MOSFET
Brand:STMicroelectronics
Product:MOSFET Modules
Packaging:Bulk
Вес, г35.42
Technology:Si
Subcategory:Discrete and Power Modules
Manufacturer:STMicroelectronics
Package/Case:ISOTOP
Product Type:MOSFET Modules
Configuration:Single
Mounting Style:Screw Mount
Product Category:MOSFET Modules
Vr - Reverse Voltage:650 V
Factory Pack Quantity:100
Power Dissipation (Pd)679W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)414nC@10V
Vgs - Gate-Source Voltage:-25 V, +25 V
Input Capacitance (Ciss@Vds)18.5nF@100V
Continuous Drain Current (Id)143A
Id - Continuous Drain Current:143 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:15 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:650 V
Пороговое напряжение на затворе5V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А143
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт679
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)15mΩ@69A, 10V

Техническая документация