STD9NM50N, MOSFET N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062406707
- Артикул
- STD9NM50N
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 0.33
- Длина
- 6.6 mm
- Серия
- STD9NM50N
- Высота
- 2.4 mm
Цена по запросу
(от 168,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор N Ch 500V 0.47 Ohm 7.5A
Технические параметры
| Вес, г | 0.33 |
| Длина | 6.6 mm |
| Серия | STD9NM50N |
| Высота | 2.4 mm |
| Ширина | 6.2 mm |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 19 ns |
| Тип продукта | MOSFET |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 14 nC |
| Время нарастания | 16 ns |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7.5 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V, + 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 560 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 500 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 45 ns |
| Типичное время задержки при включении | 11 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |