Моя заявка (0)

STD9NM40N, Транзистор полевой SMD (N-канал 400В 5,6А 0,73Ом DPak)

STD9NM40N, Транзистор полевой SMD (N-канал 400В 5,6А 0,73Ом DPak)

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8021839170
Артикул
STD9NM40N
Бренд
STMicroelectronics
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Цена по запросу
(от 80 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

STD9NM40N, Транзистор полевой SMD (N-канал 400В 5,6А 0,73Ом DPak)

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
PPAPNo
SVHCYes
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width6.2(Max)
Package Height2.4(Max)
Package Length6.6(Max)
EDA / CAD ModelsSTD9NM40N by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyMDmesh
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)8.8
Typical Rise Time (ns)4.4
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)60000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)14
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)14@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±25
Typical Turn-On Delay Time (ns)7
Maximum Drain Source Voltage (V)400
Typical Turn-Off Delay Time (ns)25
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)5.6
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)365@50V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)790@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0, 73Ом