Моя заявка (0)
STD9NM40N, Trans MOSFET N-CH 400V 5.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001056842
Артикул
STD9NM40N
Бренд
STMicroelectronics
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Цена по запросу
(от 190 ₽)
Минимальный заказ: 160 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

STD9NM40N, Транзистор полевой SMD (N-канал 400В 5,6А 0,73Ом DPak)

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
PPAPNo
SVHCYes
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width6.2(Max)
Package Height2.4(Max)
Package Length6.6(Max)
EDA / CAD ModelsSTD9NM40N by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologyMDmesh
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)8.8
Typical Rise Time (ns)4.4
Особенностивысоковольтный
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)60000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)14
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)14@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±25
Typical Turn-On Delay Time (ns)7
Maximum Drain Source Voltage (V)400
Typical Turn-Off Delay Time (ns)25
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)5.6
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)365@50V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)790@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В400
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А5.6
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В