STD9N65M2, Power MOSFET, N Channel, 650 V, 5 A, 0.79 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8288156175
- Артикул
- STD9N65M2
- Бренд
- STMicroelectronics
- Вес, г
- 1
- Channel Type
- N Channel
- Корпус
- TO-252
- Power Dissipation
- 60Вт
Цена по запросу
(от 244 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
• Превосxодный профиль выxодной емкости (COSS) • 100%-ная лавинная проверка
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| Channel Type | N Channel |
| Корпус | TO-252 |
| Power Dissipation | 60Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source On State Resistance | 0.79Ом |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 5А |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | - |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.79 Ом |