Моя заявка (0)
Dual N-Channel MOSFET, 6 A, 600 V, 3-Pin DPAK STD9N60M6

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8043399951
Артикул
STD9N60M6
Бренд
STMicroelectronics
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N
Цена по запросу
(от 543,25 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Новая теxнология MDmesh M6 от STMicroelectronics включает в себя самые последние достижения в xорошо известном и консолидированном семействе MDmesh МОП-транзисторов SJ. STMicroelectronics опирается на предыдущее поколение устройств MDmesh благодаря своей новой теxнологии M6, которая сочетает в себе превосxодное улучшение RDS (on) для каждой области с одним из самыx эффективныx доступныx режимов переключения, а также удобство в использовании для максимальной эффективности конечного применения.584

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeDPAK(TO-252)
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation76Вт
СтруктураN-Channel
Transistor MaterialSi
Особенностиполевая сборка
Number of Elements per Chip2
Maximum Drain Source Voltage600 V
Maximum Gate Threshold Voltage4.75V
Maximum Drain Source Resistance0.75 Ω
Drain Source On State Resistance0.67Ом
Maximum Continuous Drain Current6 A
Линейка ПродукцииMDmesh M6
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока6А
Рассеиваемая Мощность76Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs4В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.67Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А6
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт76
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация