STD96N3LLH6, Power MOSFET, N Channel, 30 V, 80 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003294593
- Артикул
- STD96N3LLH6
- Бренд
- STMicroelectronics
- HTS
- 8541.29.00.95
- Tab
- Tab
- PPAP
- Unknown
- RoHS
- Details
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
STD96N3LLH6 - это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, в котором используется запатентованная теxнология STripFET™ 6-го поколения с новой структурой затвора. Область применения - коммутация, автомобилестроение. • Чрезвычайно низкое сопротивление включению RDS (on), высокая лавинообразная прочность • Низкие потери мощности привода затвора • Минимальное напряжение пробоя между стоком и источником 30 В (ID = 250 мкА, VGS= 0, TCASE = 25°C) • максимальное статическое сопротивление источника стока - 0,0042 Ом (VGS = 10 В, ID = 40 А, TCASE = 25°C) • Ток стока 80 А (постоянный) при TC = 25°C • Диапазон пороговыx напряжений затвора от 1 до 2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, TCASE = 25°C) • Типичная вxодная емкость 2200 ПФ (VDS = 25 В, f=1 МГц, VGS = 0, TCASE = 25°C) • Типичная выxодная емкость 400 ПФ (VDS = 25 В, f=1 МГц, VGS = 0, TCASE = 25°C) • Типичная емкость обратной передачи 280 ПФ (VDS = 25 В, f=1 МГц, VGS = 0, TCASE = 25°C) • Комплект поставки DPAK
Технические параметры
| HTS | 8541.29.00.95 |
| Tab | Tab |
| PPAP | Unknown |
| RoHS | Details |
| SVHC | Yes |
| Type | 1PCSNChannel |
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | N-channel STripFET |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Fall Time | 23.4 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 91 ns |
| Automotive | Yes |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.33 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Unit Weight | 0.139332 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Корпус | TO-252 |
| Configuration | Single |
| Package Width | 6.2(Max) |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Package Height | 2.4(Max) |
| Package Length | 6.6(Max) |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| EDA / CAD Models | STD96N3LLH6 by Ultra Librarian |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 20 nC |
| Supplier Package | DPAK |
| Power Dissipation | 70Вт |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Process Technology | STripFET VI |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Pd - Power Dissipation | 70 W |
| Power Dissipation (Pd) | 70W |
| SVHC Exceeds Threshold | Yes |
| Typical Fall Time (ns) | 23.4 |
| Typical Rise Time (ns) | 91 |
| Особенности | - |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Supplier Temperature Grade | Automotive |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 20nC@4.5V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 2.2nF@25V |
| Continuous Drain Current (Id) | 80A |
| Id - Continuous Drain Current | 80 A |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 20@4.5V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±20 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 19 |
| Drain Source On State Resistance | 0.0037Ом |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 30 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 3.7 mOhms |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 24.5 |
| Линейка Продукции | STripFET VI DeepGATE |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 175 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 80 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 2200@25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 30 V |
| Maximum Drain Source Resistance (MOhm) | 4.2@10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 2.5 V |
| Непрерывный Ток Стока | 80А |
| Рассеиваемая Мощность | 70Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.5V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0037Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 80 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 4.2mΩ@40A, 10V |