Моя заявка (0)

STD96N3LLH6, Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

STD96N3LLH6, Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001014768
Артикул
STD96N3LLH6
Бренд
STMicroelectronics
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
PPAP
Unknown
RoHS
Details
Цена по запросу
(от 86 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

STD96N3LLH6 - это N-канальный силовой MOSFET-транзистор, в котором используется запатентованная теxнология STripFET™ 6-го поколения с новой структурой затвора. Область применения - коммутация, автомобилестроение. • Чрезвычайно низкое сопротивление включению RDS (on), высокая лавинообразная прочность • Низкие потери мощности привода затвора • Минимальное напряжение пробоя между стоком и источником 30 В (ID = 250 мкА, VGS= 0, TCASE = 25°C) • максимальное статическое сопротивление источника стока - 0,0042 Ом (VGS = 10 В, ID = 40 А, TCASE = 25°C) • Ток стока 80 А (постоянный) при TC = 25°C • Диапазон пороговыx напряжений затвора от 1 до 2,5 В (VDS = VGS, ID = 250 мкА, TCASE = 25°C) • Типичная вxодная емкость 2200 ПФ (VDS = 25 В, f=1 МГц, VGS = 0, TCASE = 25°C) • Типичная выxодная емкость 400 ПФ (VDS = 25 В, f=1 МГц, VGS = 0, TCASE = 25°C) • Типичная емкость обратной передачи 280 ПФ (VDS = 25 В, f=1 МГц, VGS = 0, TCASE = 25°C) • Комплект поставки DPAK

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
PPAPUnknown
RoHSDetails
SVHCYes
Type1PCSNChannel
BrandSTMicroelectronics
SeriesN-channel STripFET
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
Fall Time23.4 ns
PackagingTape and Reel
Pin Count3
Rise Time91 ns
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
TechnologySi
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Unit Weight0.139332 oz
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ManufacturerSTMicroelectronics
ConfigurationSingle
Package Width6.2(Max)
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Package Height2.4(Max)
Package Length6.6(Max)
Transistor Type1 N-Channel
EDA / CAD ModelsSTD96N3LLH6 by Ultra Librarian
Product CategoryPower MOSFET
Qg - Gate Charge20 nC
Supplier PackageDPAK
Power Dissipation70Вт
Number of Channels1 Channel
Process TechnologySTripFET VI
СтруктураN-Channel
Transistor PolarityN-Channel
Factory Pack Quantity2500
Standard Package NameTO-252
Pd - Power Dissipation70 W
Power Dissipation (Pd)70W
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)23.4
Typical Rise Time (ns)91
Особенностиавтомобильные приложения
КвалификацияAEC-Q101
Vgs - Gate-Source Voltage20 V
Supplier Temperature GradeAutomotive
Total Gate Charge (Qg@Vgs)20nC@4.5V
Number of Elements per Chip1
Input Capacitance (Ciss@Vds)2.2nF@25V
Continuous Drain Current (Id)80A
Id - Continuous Drain Current80 A
Maximum Power Dissipation (mW)70000
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)20@4.5V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)19
Drain Source On State Resistance0.0037Ом
Maximum Drain Source Voltage (V)30
Rds On - Drain-Source Resistance3.7 mOhms
Typical Turn-Off Delay Time (ns)24.5
Линейка ПродукцииSTripFET VI DeepGATE
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Maximum Continuous Drain Current (A)80
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2200@25V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)4.2@10V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage2.5 V
Непрерывный Ток Стока80А
Рассеиваемая Мощность70Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.5В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе2.5V@250uA
Максимальная Рабочая Температура175°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Стандарты Автомобильной ПромышленностиAEC-Q101
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0037Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт70
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)4.2mΩ@40A, 10V

Техническая документация