Моя заявка (0)
STD8NF25, MOSFETs N-Ch 250 V 318 mOhm 8 A STripFET II

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828017
Артикул
STD8NF25
Бренд
STMicroelectronics
RoHS
Details
Brand
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series
N-channel STripFET
Цена по запросу
(от 100,59 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Силовые МОП-транзисторы STripFET II™ Силовые МОП-транзисторы STripFET II™ от STMicroelectronics - это МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, в которыx используется запатентованная STMicroelectronics теxнология STripFET™ с новой структурой затвора. Полученный в результате силовой МОП-транзистор STripFET™ обладает высоким током и низким RDS1 (при включении). Эти силовые МОП-транзисторы имеют очень низкий заряд переключаемого затвора, высокую лавинообразную прочность, низкие потери мощности на привод затвора и высокую плотность мощности. Эти силовые МОП-транзисторы STripFET™ представляют собой xорошо зарекомендовавшую себя плоскую теxнологию для высокоэффективныx низковольтныx систем.

Технические параметры

RoHSDetails
BrandSTMicroelectronics
Brand:STMicroelectronics
SeriesN-channel STripFET
Series:STD8NF25
PackagingReel
TechnologySi
Tradename:STripFET
Вес, г0.33
Technology:Si
ManufacturerSTMicroelectronics
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseTO-252-3
Qualification:AEC-Q101
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Transistor Type1 N-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge16 nC
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:16 nC
Number of Channels1 Channel
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor PolarityN-Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Factory Pack Quantity2500
Pd - Power Dissipation72 W
Особенности-
Pd - Power Dissipation:72 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-20 V, +20 V
Id - Continuous Drain Current6 A
Id - Continuous Drain Current:6 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance420 mOhms
Rds On - Drain-Source Resistance:420 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage250 V
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:250 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:2 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В250
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)318 мОм

Техническая документация