Транзистор полевой STD8N65M5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062671590
- Артикул
- STD8N65M5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Tab
- Tab
- PPAP
- No
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
Цена по запросу
(от 240 ₽)
Минимальный заказ: 465 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 650В, 4,4А, 70Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Tab | Tab |
| PPAP | No |
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh M5 |
| EU RoHS | Compliant with Exemption |
| Material | Si |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Technology | Si |
| Вес, г | 1 |
| Серия | STD8N65M5 |
| PCB changed | 2 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | DPAK |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Process Technology | MDmesh V |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Технология | Si |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Standard Package Name | TO-252 |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Pd - Power Dissipation | 70 W |
| Typical Fall Time (ns) | 11 |
| Typical Rise Time (ns) | 14 |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 25 V |
| Supplier Temperature Grade | Industrial |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | STMicroelectronics |
| Упаковка / блок | TO-252-3 |
| Id - Continuous Drain Current | 7 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 70000 |
| Typical Gate Charge @ 10V (nC) | 15 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 15@10V |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±25 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 50 |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 650 |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 560 mOhms |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 20 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 7 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 690@100V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 650 V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 600@10V |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 70 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 7 A |
| Коммерческое обозначение | MDmesh |
| Размер фабричной упаковки | 2500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 25 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 560 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |