Моя заявка (0)

STD8N60DM2, 600V 8A 85W 600m-@10V,4A 5V@100uA N Channel DPAK MOSFETs

STD8N60DM2, 600V 8A 85W 600m-@10V,4A 5V@100uA N Channel DPAK MOSFETs

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8015784488
Артикул
STD8N60DM2
Бренд
STMicroelectronics
Brand:
STMicroelectronics
Series:
STD8N60DM2
Tradename:
MDmesh
Вес, г
1
Цена по запросу
(от 557 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

Brand:STMicroelectronics
Series:STD8N60DM2
Tradename:MDmesh
Вес, г1
Technology:Si
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:STMicroelectronics
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:4 nC
СтруктураN-Channel
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Особенностивысоковольтный
Pd - Power Dissipation:85 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-30 V, +30 V
Id - Continuous Drain Current:8 A
Maximum Operating Temperature:+150 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Rds On - Drain-Source Resistance:570 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:600 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:3 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Пороговое напряжение на затворе-30 V, +30 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А8
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт85
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация