Моя заявка (0)

STD888T4, Bipolar Transistors - BJT Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor

STD888T4, Bipolar Transistors - BJT Medium current, high performance, low Voltage PNP transistor

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004828014
Артикул
STD888T4
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Type
PNP
Цена по запросу
(от 69,96 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
TypePNP
Brand:STMicroelectronics
Series:STD888
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г3.95
PCB changed2
Part StatusActive
Technology:Si
Package TypeDPAK(TO-252)
Subcategory:Transistors
ConfigurationSingle
Manufacturer:STMicroelectronics
Mounting TypeSurface Mount
Package Width6.2(Max)
Product Type:BJTs-Bipolar Transistors
Configuration:Single
Package Length6.6(Max)
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:TO-252-3
Transistor TypePNP
Product CategoryBipolar Power
Supplier PackageDPAK
Product Category:Bipolar Transistors-BJT
Структураpnp
Transistor Polarity:PNP
Standard Package NameTO-252
SVHC Exceeds ThresholdYes
Minimum DC Current Gain150@10mA@1V|150@500mA@1V|15@10A@1V|40@8A@1V|75@5A@1V
Pd - Power Dissipation:15 W
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation15 W
Supplier Temperature GradeIndustrial
Emitter- Base Voltage VEBO:6 V
Number of Elements per Chip1
Maximum DC Collector Current-5 A
Maximum Emitter Base Voltage6 V
Collector- Base Voltage VCBO:45 V
Maximum DC Collector Current:5 A
Maximum Operating Temperature+150 °C
Maximum Collector Base Voltage60 V
Maximum Operating Temperature:+150 C
Maximum Power Dissipation (mW)15000
DC Collector/Base Gain hfe Min:150
Maximum DC Collector Current (A)5
Maximum Emitter Base Voltage (V)6
Maximum Collector Emitter Voltage-30 V
Maximum Collector Base Voltage (V)60
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-65
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:30 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:700 mV
Maximum Collector-Emitter Voltage (V)30
Maximum Collector Cut-Off Current (nA)10
Maximum Base Emitter Saturation Voltage (V)1.1@50mA@2A|1.4@250mA@6A
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:2500
Maximum Collector-Emitter Saturation Voltage (V)0.15@5mA@500mA|0.35@50mA@2A|0.7@250mA@5A

Техническая документация