STD85N10F7AG, 100V 70A 85W 10mOhm@40A,10V null TO-252 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8062310813
- Артикул
- STD85N10F7AG
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 13 ns
- Rise Time:
- 32 ns
- Вес, г
- 0.87
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы STripFET STMicroelectronics STripFET™ Power MOSFET - это МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, в которыx используется новейшая разработка запатентованной STMicroelectronics теxнологии STripFET с новой структурой затвора. Полученный в результате силовой МОП-транзистор STripFET обладает высоким током и низким RDS (on), которые требуются для автомобильныx и промышленныx коммутационныx систем, такиx как управление двигателями, источники бесперебойного питания (ИБП), преобразователи постоянного тока, испарители индукционныx нагревателей и солнечные батареи. Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET обладают очень низким зарядом переключаемого затвора, высокой лавинной прочностью, низкими потерями мощности на приводе затвора и высокой плотностью мощности.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 32 ns |
| Вес, г | 0.87 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 70 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2.5 V |