Моя заявка (0)
нет фото

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8025031830
Артикул
STD80N6F6-VB
Бренд
Vbsemi Electronics Co., Ltd.
Вес, г
0.4
Корпус
to252
Структура
MOSFET
Особенности
-
Цена по запросу
(от 250 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г0.4
Корпусto252
СтруктураMOSFET
Особенности-
Continuous Drain Current (Id)110A
Пороговое напряжение на затворе2.5V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт120
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В