Моя заявка (0)
STD80N4F6, MOSFETs N-Ch 40V 80A STripFET VI DeepGate

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005442108
Артикул
STD80N4F6
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
Unknown
EU RoHS
Compliant with Exemption
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 186,28 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 40V 80A Автомобильный 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPUnknown
EU RoHSCompliant with Exemption
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveYes
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
Maximum IDSS (uA)1
Process TechnologySTripFET
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)70000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)36
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)36@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Output Capacitance (pF)335
Maximum Drain Source Voltage (V)40
Maximum Diode Forward Voltage (V)1.3
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Minimum Gate Threshold Voltage (V)2
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)80
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 175
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)2150@25V
Maximum Drain Source Resistance (MOhm)6@10V
Maximum Gate Source Leakage Current (nA)100
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)20
Maximum Pulsed Drain Current @ TC=25°C (A)320
Maximum Junction Ambient Thermal Resistance on PCB (°C/W)50
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А80
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт3.13
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация