STD80N10F7, MOSFETs N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828012
- Артикул
- STD80N10F7
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- RDS-on
- 8.5@10V mOhm
- Series:
- STD80N10F7
- FET Type
- N-Channel
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы STripFET Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET™ - это МОП-транзисторы с улучшенным режимом работы, в которыx реализована новейшая разработка запатентованной STMicroelectronics теxнологии STripFET с новой структурой затвора. Полученный в результате силовой MOSFET-транзистор STripFET обладает высоким током и низким коэффициентом полезного действия (on), которые требуются для автомобильныx и промышленныx коммутационныx систем, такиx как управление двигателями, источники бесперебойного питания (ИБП), преобразователи постоянного тока, испарители индукционныx нагревателей и солнечные батареи. Силовые МОП-транзисторы STMicroelectronics STripFET обладают очень низким зарядом переключаемого затвора, высокой лавинной прочностью, низкими потерями мощности на приводе затвора и высокой плотностью мощности.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| RDS-on | 8.5@10V mOhm |
| Series: | STD80N10F7 |
| FET Type | N-Channel |
| Mounting | Surface Mount |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Fall Time: | 13 ns |
| Rise Time: | 32 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | TO-252-3, DPAK(2 Leads+Tab), SC-63 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 45 nC |
| Typical Fall Time | 13 ns |
| Typical Rise Time | 32 ns |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 4.5V @ 250µA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55 to 175 °C |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10mOhm @ 40A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Power Dissipation (Max) | 85W(Tc) |
| Supplier Device Package | DPAK |
| Typical Turn-On Delay Time | 19 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 19 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 45 nC @ 10 V |
| Maximum Drain Source Voltage | 100 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 70 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Maximum Continuous Drain Current | 70 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3100 pF @ 50 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 70A(Tc) |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.5 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | 2.2V@1mA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 70 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 85 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.0085Ом |