STD7NK40ZT4, MOSFETs N-Ch 400 Volt 5.4 A Zener SuperMESH
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828010
- Артикул
- STD7NK40ZT4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Width
- 6.2mm
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- MDmesh, SuperMESH
Цена по запросу
(от 193,77 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 400В, 3,4А, 70Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 6.2mm |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | MDmesh, SuperMESH |
| Series: | STD7NK40ZT4 |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 12 ns |
| Rise Time: | 15 ns |
| Tradename: | SuperMESH |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | DPAK(TO-252) |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 26 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 70 W |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 70 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 19 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -30 V, +30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 15 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 400 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 5.4 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.5V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 3.5 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 1 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 5.4 A |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 400 V |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5.4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 70 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1 Ohms |