STD7N80K5, MOSFETs N-Ch 800V 0.95 Ohm 6A MDmesh K5
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828009
- Артикул
- STD7N80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STD7N80K5
- Fall Time:
- 20.2 ns
- Rise Time:
- 8.3 ns
Цена по запросу
(от 220,44 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 800В, 3,8А, 110Вт, DPAK Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STD7N80K5 |
| Fall Time: | 20.2 ns |
| Rise Time: | 8.3 ns |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 110Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 13.4 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Power Dissipation (Pd) | 110W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 110 W |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 13.4nC@10V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11.3 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 360pF@100V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23.7 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 6A |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.95Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.2 Ohms |
| Линейка Продукции | MDmesh K5 |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4 V |
| Непрерывный Ток Стока | 6А |
| Рассеиваемая Мощность | 110Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Пороговое напряжение на затворе | -30 V, +30 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 V |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.95Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 110 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.2 Ohms |