Моя заявка (0)

STD7N60M2, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 3,5А, 60Вт, DPAK

STD7N60M2, Транзистор N-MOSFET, полевой, 600В, 3,5А, 60Вт, DPAK

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014887741
Артикул
STD7N60M2
Бренд
STMicroelectronics
Type
N Channel
Вес, г
0.7
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
60Вт
Цена по запросу
(от 161,38 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

600 В 5A 60 Вт 950 Мом при 10 В, 2,5 А 4 В при 250uA N-канальные МОП-транзисторы TO-252-2 (DPAK) ROHS

Технические параметры

TypeN Channel
Вес, г0.7
Channel TypeN Channel
Power Dissipation60Вт
СтруктураMOSFET
Transistor PolarityN Channel; Continuous Drain Current Id
Operating Temperature-55℃~+150℃@(Tj)
Power Dissipation (Pd)60W
Особенности-
Total Gate Charge (Qg@Vgs)8.8nC@10V
Input Capacitance (Ciss@Vds)271pF@100V
Continuous Drain Current (Id)5A
Drain Source On State Resistance0.86Ом
Линейка ПродукцииMDmesh II Plus
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока5А
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds600В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-252(DPAK)
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В600
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.5
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)950mΩ@10V, 2.5A

Техническая документация