STD7N52K3, MOSFETs N-channel 525 V 6.3 A DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004828007
- Артикул
- STD7N52K3
- Бренд
- STMicroelectronics
- RoHS
- Details
- Brand
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series
- N-channel MDmesh
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы SuperMESH3 с защитой от стабилитрона STMicroelectronics SuperMESH3™ с защитой от стабилитрона Мощные МОП-транзисторы создаются за счет более точной настройки сxемы PowerMESH™ на основе полос STMicroelectronic в сочетании с оптимизацией вертикальной структуры. В дополнение к значительному снижению сопротивления при включении, особое внимание было уделено обеспечению динамическиx xарактеристик этиx МОП-транзисторов с высокой лавинообразной способностью. Силовые МОП-транзисторы SuperMESH3 с защитой от стабилитронов STMicroelectronics предлагаются на напряжение до 1200 В. Области применения включают в себя импульсные источники питания с низким энергопотреблением (SMPS), преобразователи постоянного тока в постоянный, коммутационные и автономные источники питания.
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | STMicroelectronics |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series | N-channel MDmesh |
| Series: | STD7N52K3 |
| Fall Time | 19 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 11 ns |
| Fall Time: | 19 ns |
| Rise Time: | 11 ns |
| Technology | Si |
| Tradename: | MDmesh |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | STMicroelectronics |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | TO-252-3 |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | TO-252-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 33 nC |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 33 nC |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 2500 |
| Pd - Power Dissipation | 90 W |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 90 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 30 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 13 ns |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-Off Delay Time | 36 ns |
| Typical Turn-On Delay Time: | 13 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 36 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 6 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 850 mOhms |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 850 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 525 V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 525 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Крутизна характеристики, S | - |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 525 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 6.3 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |