STD7LN80K5, MOSFETs N-channel 800 V, 0.95 Ohm typ., 5 A MDmesh K5 Power MOSFET in a DPAK package
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8007236641
- Артикул
- STD7LN80K5
- Бренд
- STMicroelectronics
- Brand:
- STMicroelectronics
- Fall Time:
- 17.4 ns
- Rise Time:
- 6.7 ns
- Вес, г
- 0.33
Цена по запросу
(от 293 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Силовые МОП-транзисторы MDmesh K5 серии STMicroelectronics MDmesh K5 - это высоковольтные МОП-транзисторы с суперпереxодом, лучшими в отрасли RDS (on) и отличными показателями повышенной плотности мощности и эффективности. Типичные области применения включают светодиодное освещение, приборы учета, солнечные инверторы, 3-фазные вспомогательные источники питания, сварку и управление автомобильными аккумуляторами.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Fall Time: | 17.4 ns |
| Rise Time: | 6.7 ns |
| Вес, г | 0.33 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Package/Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 12 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 85 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9.3 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 23.6 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 5 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.15 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 800 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 5V@100uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.95 Ом |