Моя заявка (0)
STD70N10F4, Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001573735
Артикул
STD70N10F4
Бренд
STMicroelectronics
Tab
Tab
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 180 ₽)
Минимальный заказ: 2500 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 100V 60A 3-контактный (2+Tab) DPAK T/R

Технические параметры

TabTab
PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count3
AutomotiveNo
Lead ShapeGull-wing
Вес, г1
PCB changed2
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle
Package Width6.2(Max)
Package Length6.6(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageDPAK
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-252
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)20
Typical Rise Time (ns)20
Особенности-
Supplier Temperature GradeIndustrial
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)125000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)85
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)85@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)30
Maximum Drain Source Voltage (V)100
Typical Turn-Off Delay Time (ns)65
Maximum Diode Forward Voltage (V)1.5
Maximum Gate Threshold Voltage (V)4
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)60
Operating Junction Temperature (°C)-55 to 175
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)5800@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)19.5@10V
Maximum Positive Gate Source Voltage (V)20
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В100
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А60
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В