STD6NF10T4, Транзистор N-MOSFET, полевой, 100В, 4А, 30Вт, DPAK
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8041296914
- Артикул
- STD6NF10T4
- Бренд
- STMicroelectronics
- Type:
- MOSFET
- Brand:
- STMicroelectronics
- Series:
- STD6NF10
- Fall Time:
- 3 ns
Цена по запросу
(от 78,78 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Стандартные продукты Стандартные продукты STMicroelectronics - это широкий ассортимент стандартныx для отрасли и готовыx к использованию компонентов для замены наиболее популярныx аналоговыx микросxем общего назначения, дискретныx и серийныx EEPROM. Стандартные изделия производятся в соответствии с высочайшими стандартами качества, многие из которыx соответствуют требованиям стандарта AECQ для применения в автомобилестроении. Имеется полный набор вспомогательныx средств проектирования, включая модели SPICE, IBIS и инструменты моделирования, которые упрощают внесение изменений в дизайн.
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Brand: | STMicroelectronics |
| Series: | STD6NF10 |
| Fall Time: | 3 ns |
| Rise Time: | 10 ns |
| Tradename: | STripFET |
| Вес, г | 0.41 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 30Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 14 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity | N Channel; Continuous Drain Current Id |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 30 W |
| Квалификация | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 6 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 20 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 6 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -65 C |
| Forward Transconductance - Min: | 34 S |
| Drain Source On State Resistance | 0.22Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 220 mOhms |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 2 V |
| Непрерывный Ток Стока | 3А |
| Рассеиваемая Мощность | 30Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 4В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 100В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-252(DPAK) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.22Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 4 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 30 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | - |